| 发明名称 | 氮化镓系结晶的生长方法和热处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供氮化镓系结晶的生长方法和热处理装置。氮化镓系结晶的生长方法包括以下工序：以350℃～700℃的成膜温度在硅基板上进行含有氮化铝或氧化铝的中间层的成膜；在含有氨或氧的气氛中加热所述硅基板和所述中间层，而使所述中间层所含有的氮化铝或氧化铝的结晶核分布在该硅基板上；以及以分布在所述硅基板上的所述结晶核为起点，使氮化镓系结晶在所述硅基板上生长。 | ||
| 申请公布号 | CN104821348A | 申请公布日期 | 2015.08.05 |
| 申请号 | CN201510050339.7 | 申请日期 | 2015.01.30 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 梅泽好太;渡边要介 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 一种氮化镓系结晶的生长方法，其中，该氮化镓系结晶的生长方法包括以下工序：以350℃～700℃的成膜温度在硅基板上进行含有氮化铝或氧化铝的中间层的成膜；在含有氨或氧的气氛中加热所述硅基板和所述中间层，而使所述中间层所含有的氮化铝或氧化铝的结晶核分布在该硅基板上；以及以分布在所述硅基板上的所述结晶核为起点，使氮化镓系结晶在所述硅基板上生长。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||