发明名称 一种应力传感器及制作方法
摘要 本发明公开了一种应力传感器,所述应力传感器包括:衬底,所述衬底具有第一凹槽;第一压阻层,覆盖所述第一凹槽内壁及部分衬底上表面,所述第一压阻层通过第一绝缘层与所述衬底隔离;第一传递层,填充满所述第一凹槽,且具有两个第三凹槽,所述两个第三凹槽沿所述第一凹槽槽长方向平行排列,所述第一传递层通过第二绝缘层与所述第一压阻层隔离;第一隔离层,填充满所述第三凹槽,所述第一隔离层通过第三绝缘层与所述第一传递层隔离;第一电极对,第二电极对,位于衬底上表面的所述第一压阻层上,所述第一电极对位于第一凹槽槽长延长线上,所述第二电极对位于所述第一凹槽槽宽延长线上,能够实现对非芯片上表面内应力分量的测量。
申请公布号 CN104819789A 申请公布日期 2015.08.05
申请号 CN201510073321.9 申请日期 2015.02.10
申请人 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 何洪文;孙鹏;曹立强;上官东恺;豆传国;杨恒;吴燕红
分类号 G01L1/18(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I 主分类号 G01L1/18(2006.01)I
代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人 张海英;徐鹏飞
主权项 一种应力传感器,其特征在于,包括:衬底,所述衬底具有第一凹槽;第一压阻层,覆盖所述第一凹槽内壁及部分衬底上表面,所述第一压阻层通过第一绝缘层与所述衬底隔离;第一传递层,填充满所述第一凹槽,且具有两个第三凹槽,所述两个第三凹槽沿所述第一凹槽槽长方向平行排列,所述第一传递层通过第二绝缘层与所述第一压阻层隔离;第一隔离层,填充满所述第三凹槽,所述第一隔离层通过第三绝缘层与所述第一传递层隔离;第一电极对及第二电极对,位于衬底上表面的所述第一压阻层上,所述第一电极对位于第一凹槽槽长延长线上,所述第二电极对位于所述第一凹槽槽宽延长线上。
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