发明名称 |
一种应力传感器及制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种应力传感器,所述应力传感器包括:衬底,所述衬底具有第一凹槽;第一压阻层,覆盖所述第一凹槽内壁及部分衬底上表面,所述第一压阻层通过第一绝缘层与所述衬底隔离;第一传递层,填充满所述第一凹槽,且具有两个第三凹槽,所述两个第三凹槽沿所述第一凹槽槽长方向平行排列,所述第一传递层通过第二绝缘层与所述第一压阻层隔离;第一隔离层,填充满所述第三凹槽,所述第一隔离层通过第三绝缘层与所述第一传递层隔离;第一电极对,第二电极对,位于衬底上表面的所述第一压阻层上,所述第一电极对位于第一凹槽槽长延长线上,所述第二电极对位于所述第一凹槽槽宽延长线上,能够实现对非芯片上表面内应力分量的测量。 |
申请公布号 |
CN104819789A |
申请公布日期 |
2015.08.05 |
申请号 |
CN201510073321.9 |
申请日期 |
2015.02.10 |
申请人 |
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
何洪文;孙鹏;曹立强;上官东恺;豆传国;杨恒;吴燕红 |
分类号 |
G01L1/18(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I |
主分类号 |
G01L1/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京品源专利代理有限公司 11332 |
代理人 |
张海英;徐鹏飞 |
主权项 |
一种应力传感器,其特征在于,包括:衬底,所述衬底具有第一凹槽;第一压阻层,覆盖所述第一凹槽内壁及部分衬底上表面,所述第一压阻层通过第一绝缘层与所述衬底隔离;第一传递层,填充满所述第一凹槽,且具有两个第三凹槽,所述两个第三凹槽沿所述第一凹槽槽长方向平行排列,所述第一传递层通过第二绝缘层与所述第一压阻层隔离;第一隔离层,填充满所述第三凹槽,所述第一隔离层通过第三绝缘层与所述第一传递层隔离;第一电极对及第二电极对,位于衬底上表面的所述第一压阻层上,所述第一电极对位于第一凹槽槽长延长线上,所述第二电极对位于所述第一凹槽槽宽延长线上。 |
地址 |
214000 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |