| 发明名称 |
GROUP III NITRIDE WAFER AND ITS PRODUCTION METHOD |
| 摘要 |
<p>본 발명은 하나의 표면이 다른 표면과 시각적으로 구별가능한, GaN, AlN, InN, 및 이의 합금과 같은 3족 질화물 웨이퍼를 개시한다. 다중 와이어 톱과 같은 기계적 방법을 가지고 3족 질화물의 벌크 결정으로부터 상기 웨이퍼를 슬라이싱한 후, 상기 웨이퍼는 화학적으로 에칭되어 상기 웨이퍼의 하나의 표면이 다른 표면과 시각적으로 구별가능하게 되도록 한다. 본 발명은 또한 이러한 웨이퍼의 제조 방법을 개신한다.</p> |
| 申请公布号 |
KR20150088993(A) |
申请公布日期 |
2015.08.04 |
| 申请号 |
KR20157007789 |
申请日期 |
2013.03.15 |
| 申请人 |
SIXPOINT MATERIALS, INC.;SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
发明人 |
HASHIMOTO TADAO;LETTS EDWARD;HOFF SIERRA |
| 分类号 |
H01L29/20;C30B7/10;C30B29/40;C30B33/00;C30B33/10;H01L21/02;H01L29/201 |
主分类号 |
H01L29/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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