半導体積層基板、半導体素子、およびその製造方法

摘要

半導体積層基板であって、Ｓｉからなる基板と、積層半導体層と、を有し、前記積層半導体層は、窒化物半導体からなる活性層と、前記基板と前記活性層との間に形成された、前記基板に所定の反りを与える第一反り制御層と、該第一反り制御層よりも単位膜厚あたりの反り増加量が少ない窒化物半導体からなる第二反り制御層とを含み、前記積層半導体層の全膜厚が４μｍ以上である半導体積層基板。半導体積層基板であって、Ｓｉからなる基板と、積層半導体層と、を有し、前記積層半導体層は、前記基板上に成長した、窒化物半導体からなり、前記基板に所定の反りを与える第一反り制御層と、前記第一反り制御層上に成長した、該第一反り制御層よりも単位膜厚あたりの反り増加量が少ない窒化物半導体からなる第二反り制御層と、前記第二反り制御層上に成長した窒化物半導体からなる活性層と、を備え、前記積層半導体層の全膜厚が４μｍ以上である半導体積層基板。