光半導体デバイス

摘要

光半導体デバイスは、半導体基板上のレーザ発振器と、前記半導体基板上の光変調器)とを含み、前記レーザ発振器は一対の反射鏡の少なくとも一方にループミラーを有し、前記ループミラーは、ループ導波路と、前記ループ状導波路に直列に挿入される複数の第１リング共振器を有し、前記光変調器は、変調器導波路に沿ってカスケード接続される複数の第２リング共振器を有し、前記第１リング共振器の透過帯域幅は、前記第２リング共振器の透過帯域幅よりも広く設定されている。