高い垂直磁気異方性を示す極薄垂直磁化膜、その製造方法及び用途

摘要

磁性層が１．５ｎｍ以下の膜厚において、大きな磁気異方性定数と飽和磁化の特性を有する素子構造、その素子構造を用いた磁気デバイスを提供する。シード層にＢＣＣ金属の窒化物を用いた、ＢＣＣ金属窒化物／ＣｏＦｅＢ／ＭｇＯの膜構成を作製する。ＢＣＣ金属窒化物の窒素量は、ＢＣＣ金属１００％に対して体積比で６０％未満にすることが好ましい。これにより、磁性層厚が０．３ｎｍ以上１.５ｎｍ以下においても、垂直磁気異方性が０．１ｘ１０６ｅｒｇ／ｃｍ３以上でかつ、飽和磁化が２００ｅｍｕ／ｃｍ３以上の磁気特性を有する垂直磁化膜を容易に得ることができる。