半导体装置之制造方法、半导体装置及配线形成用治具

主权项

一种半导体装置之制造方法，其包括：第1步骤，其系形成于厚度方向上贯通基板之一对贯通电极、及沿厚度方向于基板延伸且与基板之一面相连之一对垂直方向之电极，且于基板上之元件层中形成连接上述一对垂直方向之电极之共有配线；第2步骤，其系形成连接上述一对贯通电极中之一贯通电极与上述一对垂直方向之电极中之一垂直方向之电极之连接配线；以及第3步骤，其系积层形成有上述元件层之基板，并将一基板之上述贯通电极、与对向于该一基板而积层之另一基板之上述一对贯通电极中未连接上述连接配线之贯通电极连接。