发明名称 | 半导体发光元件及其制造方法 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI495156 | 申请公布日期 | 2015.08.01 |
申请号 | TW099125582 | 申请日期 | 2010.07.30 |
申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 谢明勋;陈威佑;张利铭;王健源;姚久琳 |
分类号 | H01L33/20 | 主分类号 | H01L33/20 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种半导体发光元件,包含:一载体,其具有一第一表面以及一第二表面;一半导体发光结构系包含一位于该第一表面上的第一导电型半导体层、一位于该第一导电型半导体层上的活性层、一位于该活性层上的第二导电型半导体层、复数个透明通道及复数个导电通道,其中该些复数个导电通道未穿过该第一导电型半导体层以及该第二导电型半导体层之其中一层,且该些复数个导电通道各包含一导电层,其中该第一导电型半导体层包含一未被该活性层覆盖的裸露部分;以及一第一导线垫位于该第一导电型半导体层之该裸露部分的正上方。 | ||
地址 | 新竹市科学工业园区力行五路5号 |