| 主权项 |
一种具有一顶侧及一背侧之半导体装置，其包含：一矽基板，其具有一顶部侧及一底部侧；一第一介电质结构，其邻近于该矽基板之该顶部侧；一第一金属布线结构，其位于该第一介电质结构处，该第一金属布线结构至少部分地位于该第一介电质结构中；一第二金属布线结构，其位于该第一金属布线结构与该半导体装置之该顶侧之间；一导电互连，其穿过该半导体装置之一部分垂直延伸至该半导体装置之该背侧，其中该导电互连之一顶部区域系垂直地位于包含该第二金属布线结构之一水平平面的下方；一第二介电质结构，其至少具有大体对应于该第一金属布线结构的一第一开口、大体对应于一导电互连的一第二开口以及一第三开口；以及在该第一开口中的一第一导电部份、在该第二开口中的一第二导电部份以及在该第三开口中的该第二金属布线结构；其中该导电互连及该第一及第二金属布线结构并非同时形成。
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