抑制热簇集之半导体结构、制作抑制热簇集半导体元件之方法与抑制热簇集之方法

主权项

一种半导体元件的制作方法，包含：形成一磊晶层而直接接触一基材；在形成该磊晶层后进行一热步骤，以形成一掺质梯度区于该磊晶层中，且该掺质梯度区具有从该基材向该磊晶层方向渐减之一掺质梯度；在形成该掺质梯度区后进行至少一元件步骤，而形成位于该磊晶层中之复数个元件区，其中该复数个元件区包含：一第一元件区以及一第二元件区；以及一浅沟渠隔离区，其位于该第一元件区以及该第二元件区之间，并包含一浅沟渠隔离以及包围该浅沟渠隔离之一隔离掺杂区，使得该隔离掺杂区实质上接近该掺质梯度区。