三维记忆体及其制造方法;THREE-DIMENSIONAL MEMORY AND METHOD OF FORMING THE SAME

摘要

本发明提供一种三维记忆体的制造方法。在基底上形成包括相互交替的多个半导体层与多个绝缘层的堆叠结构。图案化堆叠结构，以形成网状结构。网状结构具有在第一方向延伸的多个第一条状物与在第二方向延伸的多个第二条状物，第一与第二条状物交会。网状结构具有多个第一孔洞。在各第一孔洞中填入介电层。移除网状结构的至少部分第一条状物，以形成互相分开的多个第二孔洞及多个位元线堆叠结构。在各第二孔洞的侧壁与底部形成电荷储存层。在各第二孔洞的电荷储存层上形成在第三方向延伸的闸极柱。在闸极柱上形成多个在第一方向延的字元线。