动态随机存取记忆体单元及其制作方法;DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY UNIT AND FABRICATION METHOD THEREOF

摘要

一种动态随机存取记忆体单元，包括基底、自对准沟槽隔离结构以及第一沟槽式闸极。基底具有柱状主体并形成有沟槽，柱状主体包括汲极区、位于汲极区上的本体区以及位于本体区上的源极区。汲极区具有第一导电型，本体区具有第二导电型，源极区也具有第一导电型。自对准沟槽隔离结构是位于沟槽的下部分内，第一沟槽式闸极也是位于沟槽的所述下部分内且位于自对准沟槽隔离结构上方。第一沟槽式闸极包括第一间隔层结构，第一间隔层结构环绕部分汲极区的周围而位于沟槽的内侧壁，以定义自对准沟槽隔离结构的宽度。