在半导体处理系统中离子源之清洗;ION SOURCE CLEANING IN SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEMS

摘要

本发明涉及利用能够生长/侵蚀在该电弧室之离子源内的丝极之反应性清洗剂籍由适当地控制电弧室内的温度来清洗一离子植入系统或其部件，以便实现所希望的丝极之生长或替代的丝极之侵蚀。还描述了反应性气体例如XeFx、WFx、AsFx、PFx以及TaFx之用途(其中x具有一化学计量地适当的值或值的范围)，用于在环境温度、升高的温度或电浆条件下，以原位或离位清洗之安排来清洗离子植入机的区域或植入机之部件。在特别的反应性清洗剂中，BrF3被描述为对于以原位或离位之清洗安排来清洗离子植入系统或其一或多个部件系有用的。还描述了清洗一离子植入系统之前级管道以便从所述前级管道中至少部分地去除与电离作用有关的沉积物之方法，该方法包括将所述前级管道与一清洗气进行接触，其中所述清洗气与所述沉积物具有化学反应性。还描述了改进一离子植入系统的性能并且延长其寿命之方法，该方法包括将阴极与一气体混合物进行接触。