发明名称 Verfahren zur Bildung von Kanälen auf einem metallischen Substrat.
摘要 <p>Es ist ein Verfahren zur Bildung von Kanälen (46) auf einem metallischen Substrat (30) beschrieben. Das Verfahren enthält die Schritte des Aufbringens wenigstens einer Schicht (34, 36, 44) aus einem metallischen Beschichtungsmaterial auf eine Oberfläche des Substrates (30) mittels einer Kaltspritztechnik, um Grenzwände (48) für die Kanäle (46) zu definieren und die Grenzwände (48) bis zu einer gewünschten Höhe aufzubauen. Dann wird zusätzliches Beschichtungsmaterial (50) auf eine oder mehrere Oberflächen der Grenzwände (48) mittels der Kaltspritztechnik aufgebracht, um so die Gestalt der Kanäle (46) zu modifizieren. Das Substrat (30) kann eine Hochtemperaturkomponente oder Heissgaspfadkomponente einer beliebigen Bauart sein. In einigen Fällen ist das Substrat eine Gasturbinenwand.</p>
申请公布号 CH708735(A8) 申请公布日期 2015.07.31
申请号 CH20140001751 申请日期 2014.11.11
申请人 GENERAL ELECTRIC COMPANY 发明人 RONALD SCOTT BUNKER;LUC STEPHANE LEBLANC;LEONARDO AJDELSZRAJN
分类号 C23C24/04;F01D5/18 主分类号 C23C24/04
代理机构 代理人
主权项
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