| 摘要 |
まず、四角形状のｃ面サファイアからなる基板１２を用意し、その基板１２の上面の全面に触媒金属としてのニッケルを成膜して触媒金属膜１４とする（（ａ）参照）、次に、リソグラフィ法により触媒金属膜１４を所定形状の触媒金属膜１６にパターニングする（（ｂ）参照）。続いて、触媒金属膜１６の温度を１０００℃まで昇温し１０００℃で２０分間保持する。そして、触媒金属膜１６の温度を５℃／ｍｉｎの速度で１０００℃から８００℃まで降温し、触媒金属膜１６の温度を８００℃で１５時間保持する。これにより、グレインの大きな触媒金属層１７を得る（（ｃ）参照）。その後、触媒金属層１７の表面に炭素源を供給してグラフェンを成長させ、触媒金属層１７を酸性溶液で溶かしてグラフェン素材１０を取り出す（（ｄ）〜（ｇ）参照）。 |
