Herstellung von Wafern mit hoher Präzipitatdichte durch Aktivierung von inaktiven Sauerstoffpräzipationskeimen durch Hitzebehandlung

摘要

Es werden Verfahren zur Behandlung von Silicumwafern bereitgestellt, die zu einer ungleichmäßigen Verteilung von Sauerstoffpräzipitationskeimen mit hoher Dichte in diesen Wafern führen, so dass die Wafer, sobald sie den Hitzebehandlungszyklen irgendeines beliebigen Produktionsverfahrens für elektronische Bauelemente unterzogen werden, im Inneren Sauerstoffpräzipitate bilden, während ein Bereich nahe der Oberfläche präzipitatfrei bleibt. Die Verfahren umfassen die Aktivierung von inaktiven Sauerstoffpräzipitationskeimen durch Hitzebehandlungen bei zwischen etwa 400°C und etwa 600°C für wenigstens etwa 1 Stunde.