发明名称 高压直流系统中控制直流电弧的高压电子开关及其操作方法
摘要 本发明涉及高压直流系统中控制直流电弧的高压电子开关及其操作方法。提供了高压直流系统,其包括一个或多个插座(115)以及与一个或多个插座关联的电子限流器电路。该电子限流器电路配置成:在与一个或多个插座关联的直流总线被通电的情况下,当连接器(195、197)被插入和/或拔离一个或多个插座时,限制电流涌入从而不损坏连接器;和/或隔离连接到一个或多个插座的负载中的直流故障和/或过度电流汲取,从而保护该系统不关闭。
申请公布号 CN103081270B 申请公布日期 2015.07.29
申请号 CN201180041905.8 申请日期 2011.08.30
申请人 伊顿公司 发明人 R·W·小约翰逊
分类号 H02H9/00(2006.01)I 主分类号 H02H9/00(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 杨晓光;于静
主权项 一种高压直流系统,包括:至少一个插座(115A、115B、115C、115D);以及与所述至少一个插座(115A、115B、115C、115D)关联的电子限流器电路(580、680、990),该电子限流器电路(580、680、990)配置成:在与所述至少一个插座(115A、115B、115C、115D)关联的直流总线(530、630)被通电的情况下,当连接器(195、197、927)被插入和/或拔离所述至少一个插座(115A、115B、115C、115D)时,限制电流涌入以便不损坏连接器(195、197、927);和/或隔离连接到所述至少一个插座(115A、115B、115C、115D)的负载中的直流故障和/或过度电流汲取,从而保护该系统不关闭,其中电子限流器电路(580、680、990)包括在直流源(530、630)和负载之间与电感器(575、675)串联的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(568、668);以及其中MOSFET(568、668)配置成在第一电流量阈值被关断,以及在低于第一电流量阈值的第二电流量阈值被通电,以便将峰值电流限制为容许直流。
地址 美国俄亥俄州