用于CdS晶片的抛光方法

摘要

本发明公开了一种用于CdS晶片的抛光方法，包括：将CdS晶片在聚氨酯抛光垫上进行粗磨，然后再进行精磨，其中，粗磨和精磨采用的磨料5~30wt%，磨削液0.1~0.50wt%，助磨液0.1~0.50wt%，研磨液流量为1~50ml/min，研磨压力50~150g/cm²，转速40~80r/min，粗磨采用的研磨液的粒度为W7，精磨采用的研磨液的粒度为W1.5；最后将所述CdS晶片在合成革抛光垫上进行化学机械抛光，抛光液的粒度的大小为10~100nm，PH值为9.5，抛光压力为60~120g/cm²，转速60~100r/min，所述抛光液包括：纳米磨料5~15wt%，氧化剂为1.5~3wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，通过本方法处理后的CdS晶片有效的降低了晶体表面的损伤。

主权项

一种用于CdS晶片的抛光方法，其特征在于，包括：将CdS晶片在聚氨酯抛光垫上进行粗磨，然后再进行精磨，其中，粗磨和精磨采用的研磨液的配比为：磨料5～30wt％，磨削液0.1～0.50wt％，助磨液0.1～0.50wt％，余量为去离子水，研磨液流量为1～50ml/min，研磨压力50～150g/cm²，转速40～80r/min，粗磨采用的研磨液的粒度为W7，精磨采用的研磨液的粒度为W1.5；将精磨后的所述CdS晶片在合成革抛光垫上进行化学机械抛光，抛光液的粒度的大小为20～60nm，PH值为9.5，抛光压力为60～120g/cm²，转速60～100r/min，所述抛光液包括：纳米磨料1～15wt％，氧化剂为1～3wt％，表面活性剂0.01wt％，PH调节剂，余量为去离子水。