| 摘要 |
본 발명은, 반도체 단결정 기판으로 이루어진 본드 웨이퍼에 산화막을 형성하고, 이 산화막을 통해 수소 및 희가스 중 적어도 1종류의 가스이온을 이온주입하여 상기 본드 웨이퍼에 이온주입층을 형성하고, 이 본드 웨이퍼의 이온주입한 표면과 베이스 웨이퍼 표면을 상기 산화막을 개재하여 접합한 후, 상기 이온주입층에서 상기 본드 웨이퍼를 박리함으로써 SOI 웨이퍼를 제작하는 SOI 웨이퍼의 제조방법에 있어서, 상기 본드 웨이퍼에 형성하는 산화막을, 접합면의 산화막보다 배면의 산화막을 두껍게 하는 SOI 웨이퍼의 제조방법이다. 이에 따라, 이온주입 박리법에 의해 박리한 경우에 발생하는 SOI 웨이퍼와 박리 후의 본드 웨이퍼의 휨형상에 기인하여 발생하는 스크래치나 SOI 막두께 이상을 억제할 수 있는 SOI 웨이퍼의 제조방법이 제공된다. |
