发明名称 |
一种读头传感器 |
摘要 |
本发明的公开一般涉及一种读头传感器,特别是在记录磁头中的读头传感器。读头传感器包括传感器叠层内的双包覆层,用于减少磁耦合从而增强读头传感器中的磁偏置场,例如,域控制。更进一步,具有不同膜特性的多个膜叠层的上屏蔽也被用于增强对读头传感器产生的偏置场。另外,线圈结构定位在侧屏蔽附近,用于增强读头传感器中的偏置场产生。 |
申请公布号 |
CN104810026A |
申请公布日期 |
2015.07.29 |
申请号 |
CN201510100220.6 |
申请日期 |
2015.01.28 |
申请人 |
HGST荷兰有限公司 |
发明人 |
淡河纪宏;驹垣幸次郎 |
分类号 |
G11B5/115(2006.01)I;G11B5/127(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/115(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
关兆辉;谢丽娜 |
主权项 |
一种读头传感器,包括:下屏蔽;上屏蔽,设置在所述下屏蔽上方;以及传感器叠层,设置在所述下屏蔽和所述上屏蔽之间,其中所述传感器叠层包括:钉扎磁层;间隔层,设置在所述钉扎磁层之上;自由磁层,设置在所述间隔层之上;以及双包覆层,设置在所述自由磁层上,所述双包覆层包括设置在非磁层上的磁层;以及侧屏蔽,设置在所述下屏蔽之上和所述上屏蔽下方的传感器叠层附近。 |
地址 |
荷兰阿姆斯特丹 |