发明名称 高磁通量的钴铁基合金磁性溅射靶材及其制造方法
摘要 本发明提供一种高磁通量的钴铁基合金磁性溅射靶材,是以熔炼铸造所制成,且由钴、铁以及添加金属所组成的磁性溅射靶材,其中该添加金属是一种以上选自于由钽(Ta)、锆(Zr)、铌(Nb)、铪(Hf)、铝(Al)以及铬(Cr)所组成的群组。借由钴铁比例以及添加金属含量的调配,搭配靶材熔炼铸造后适当的热处理加工达到提高靶材磁通量的目的。
申请公布号 CN101880858B 申请公布日期 2015.07.29
申请号 CN200910136527.6 申请日期 2009.05.06
申请人 光洋应用材料科技股份有限公司 发明人 郑惠文;侯尚杰
分类号 C23C14/34(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I;C22C19/07(2006.01)I;C22C30/00(2006.01)I;C22C33/04(2006.01)I;C22C38/10(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人 孙皓晨
主权项 一种高磁通量的钴铁基合金磁性溅射靶材,其特征在于是以熔炼铸造所制成,且由钴、铁以及添加金属所组成的磁性溅射靶材,其中该添加金属是一种以上选自于由钽、锆、铌、铪、铝以及铬所组成的群组,其中钴具有令磁性溅射靶材的磁通量提升的比例,且该添加金属占整体磁性溅射靶材的8~20at.%;该磁性溅射靶材的厚度不超过15毫米,且具有大于15%的磁通量;所述令磁性溅射靶材的磁通量提升的比例是指钴占整体磁性溅射靶材的10~35at.%或60~70at.%。
地址 中国台湾