| 发明名称 | III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件 | ||
| 摘要 | 在半导体器件(100)中，通过在表面层(12)中存在以S换算为30×10<sup>10</sup>个/cm<sup>2</sup>～2000×10<sup>10</sup>个/cm<sup>2</sup>的硫化物和以O换算为2原子％～20原子％的氧化物，在外延层(22)与III族氮化物半导体衬底(10)的界面处能够抑制C堆积。通过这样抑制C的堆积，可抑制外延层(22)与III族氮化物半导体衬底(10)的界面处的高电阻层的形成。由此，能够降低外延层(22)与III族氮化物半导体衬底(10)的界面的电阻，同时能够提高外延层(22)的结晶质量。因此，能够提高半导体器件(100)的发光强度和成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN102471931B | 申请公布日期 | 2015.07.29 |
| 申请号 | CN201080029429.3 | 申请日期 | 2010.07.14 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 石桥惠二 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种III族氮化物半导体衬底，其为用于半导体器件的III族氮化物半导体衬底，其中，在所述III族氮化物半导体衬底的表面具有表面层，所述表面层包含以S换算为30×10<sup>10</sup>个/cm<sup>2</sup>～2000×10<sup>10</sup>个/cm<sup>2</sup>的硫化物和以O换算为2原子％～20原子％的氧化物。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||