一种具有单层优化层的磁电阻元件

摘要

本实用新型提供了一种具有单层优化层的磁电阻元件，包括依次相邻的参考层、势垒层、记忆层、晶格优化层和基础层；所述参考层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面；所述记忆层的磁化方向可变且磁各向异性垂直于层表面；所述势垒层位于所述记忆层和所述参考层之间且分别与所述记忆层和所述参考层相邻；所述晶格优化层是具有NaCl晶格结构的材料层且其(100)晶面平行于基底平面；所述基础层是非磁性的；并且还进一步包括磁性校正层和自旋极化稳定层，它们依次设置在所述基础层和所述晶格优化层之间。本实用新型的磁电阻元件可以显著减小阻尼系数、增大电流自旋极化率、增强磁晶垂直各向异性，进而减小写电流及得到更高的MR率。

主权项

一种磁电阻元件，包括：参考层，所述参考层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面；记忆层，所述记忆层的磁化方向可变且磁各向异性垂直于层表面；势垒层，所述势垒层位于所述参考层和所述记忆层之间且分别与所述参考层和所述记忆层相邻；其特征在于，还包括晶格优化层，所述晶格优化层是具有NaCl晶格结构的材料层且其(100)晶面平行于基底平面；所述晶格优化层与所述记忆层相邻；以及非磁性的基础层，所述基础层与所述晶格优化层相邻。