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发明名称
凹部バリア層を備えた高電子移動度トランジスタ
摘要
<p>Embodiments of a high electron mobility transistor with recessed barrier layer, and methods of forming the same, are disclosed. Other embodiments are also be described and claimed.</p>
申请公布号
JP5756667(B2)
申请公布日期
2015.07.29
申请号
JP20110077362
申请日期
2011.03.31
申请人
发明人
分类号
H01L21/338;H01L21/337;H01L27/095;H01L29/41;H01L29/778;H01L29/808;H01L29/812
主分类号
H01L21/338
代理机构
代理人
主权项
地址
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