| 发明名称 | 铁氧体基板永磁薄膜的快速退火方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及磁性薄膜材料的退火工艺领域，其公开了一种铁氧体基板永磁薄膜的快速退火方法，包括如下步骤：（A）用N2气清洁基片；（B）放在陶瓷平板上；（C）在激光退火炉中进行高温退火处理，退火的同时在垂直膜面方向施加强磁场;（D）取片。本发明的有益效果是：采用激光退火工艺进行热处理可以使退火周期短；退火便于准确定位处理，不影响周边和下方材料的性能；不需要高真空或惰性气体保护，没有不可控的杂质污染；可在较低的基体温度下进行退火，基体变形小，膜层材料不会有升华或分解发生；永磁薄膜结晶速度高。 | ||
| 申请公布号 | CN104810146A | 申请公布日期 | 2015.07.29 |
| 申请号 | CN201510231625.3 | 申请日期 | 2015.05.08 |
| 申请人 | 西南应用磁学研究所 | 发明人 | 郭韦;倪经;周俊;黄豹;邹延珂 |
| 分类号 | H01F41/22(2006.01)I | 主分类号 | H01F41/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人 | 胡吉科 |
| 主权项 | 一种铁氧体基板永磁薄膜的快速退火方法，其特征在于:包括如下步骤：（A）用N2气清洁基片；（B）放在陶瓷平板上；（C）在激光退火炉中进行高温退火处理，退火的同时在垂直膜面方向施加强磁场;（D）取片。 | ||
| 地址 | 621000 四川省绵阳市高新区滨河北路西段268号 | ||