发明名称 用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
摘要 本发明涉及用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。一种用于液晶显示(LCD)装置的阵列基板包括:基板;沿一个方向形成在基板的一个表面上的选通线;与选通线交叉以限定像素区域的数据线;配置在选通线和数据线的交叉处的薄膜晶体管;形成在基板的像素区域的像素电极;形成在基板的包括像素电极和TFT薄膜晶体管的整个表面上的绝缘膜,其包括由高温氮化硅膜形成的第一绝缘膜和由低温氮化硅膜形成的第二绝缘膜,并具有暴露出像素电极、具有底切形状的接触孔;形成在具有底切形状的接触孔内并与像素电极和薄膜晶体管连接的像素电极连接图案;以及分离地形成在绝缘膜上的多个公共电极。
申请公布号 CN102445802B 申请公布日期 2015.07.29
申请号 CN201110384918.7 申请日期 2011.10.12
申请人 乐金显示有限公司 发明人 金正五;金容一
分类号 G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 G02F1/1362(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 李辉;吕俊刚
主权项 一种用于液晶显示装置的阵列基板,该阵列基板包括:基板;选通线,该选通线沿一个方向形成在所述基板的一个表面上;数据线,该数据线与所述选通线交叉,以限定像素区域;薄膜晶体管,该薄膜晶体管配置在所述选通线和所述数据线的交叉处;像素电极,该像素电极形成在所述基板的像素区域;绝缘膜,该绝缘膜包括层叠在所述基板的包括所述像素电极和所述薄膜晶体管的整个表面上的由高温氮化硅膜形成的第一绝缘膜和形成在所述第一绝缘膜上的由低温氮化硅膜形成的第二绝缘膜,并且该绝缘膜具有暴露出所述像素电极、具有底切形状的接触孔,其中,与所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜之间的界面相邻的所述接触孔的宽度大于与所述第二绝缘膜的上表面相邻的所述接触孔的宽度和与所述第一绝缘膜的下表面相邻的所述接触孔的宽度;像素电极连接图案,该像素电极连接图案形成在具有底切形状的所述接触孔内的所述第一绝缘膜、所述像素电极和所述薄膜晶体管上,并与所述像素电极和所述薄膜晶体管连接;以及多个公共电极,该多个公共电极分离地形成在所述第二绝缘膜上。
地址 韩国首尔