| 发明名称 | 改善沟槽形貌方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种改善沟槽形貌方法。本发明改善沟槽形貌方法，包括：在形成有沟槽的硅晶片表面制备一层多晶硅；采用热氧化法，对该多晶硅按照制备厚度进行氧化形成氧化层，并采用刻蚀法去除该氧化层；采用热氧化法，在去除该氧化层后形成的图案上，形成牺牲氧化层，并采用刻蚀法去除该牺牲氧化层。本发明，通过在形成有沟槽的硅晶片表面制备一层多晶硅、按照制备厚度进行氧化形成氧化层、去除该氧化层，使得新形成的图案在形成牺牲氧化层时，其表面二氧化硅的生长方向和生长速度基本一致，从而仅需要较薄的牺牲氧化层即可修复损伤的沟槽表面，解决了现有技术中需要形成较厚的牺牲氧化层，浪费资源、影响器件的性能的技术问题。 | ||
| 申请公布号 | CN104810245A | 申请公布日期 | 2015.07.29 |
| 申请号 | CN201410043299.9 | 申请日期 | 2014.01.29 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 李理;马万里;赵圣哲 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 刘芳 |
| 主权项 | 一种改善沟槽形貌方法，其特征在于，包括：在形成有沟槽的硅晶片表面制备一层多晶硅；采用热氧化法，对所述多晶硅按照制备厚度进行氧化形成氧化层，并采用刻蚀法去除所述氧化层；采用热氧化法，在去除所述氧化层后形成的图案上，形成牺牲氧化层，并采用刻蚀法去除所述牺牲氧化层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层 | ||