一种带雪崩特性的GaN基肖特基二极管器件

摘要

本实用新型公开了一种带雪崩特性的GaN基肖特基二极管器件。器件包括将两个反向额定电压相同的GaN基肖特基二极管与Si基二极管并联，使得器件在反向工作时，当反向耐压超过器件的反向额定电压时，通过Si基二极管的雪崩击穿效应，固定反向电压，并且通过Si基二极管的雪崩效应产生雪崩电流，反馈给保护电路。从而保护器件本身以及整个电路系统，增强器件和电路的安全性与稳定性。

主权项

一种带雪崩击穿特性的GaN基肖特基二极管器件，其特征是，反向耐压大于或者等于设计所需反向额定电压的GaN基肖特基二极管，反向额定电压等于设计要求反向额定电压的Si基二极管，所述的GaN基肖特基二极管阳极与所述的Si基二极管的阳极相连，将所述的GaN基肖特基二极管的阴极与所述的Si基二极管阴极相连。