半导体发光元件

摘要

本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，具有：支撑基板、第一电极、第一导电型层、发光层、第二导电型层、第二电极。上述第一导电型层具有：第一接触层、具有比上述第一接触层的杂质浓度低的杂质浓度的窗层、第一包覆层。上述第二导电型层具有：第二包覆层、电流扩散层、第二接触层。上述第二电极具有：细线部，在上述第二接触层之上延伸；焊盘部，设置于未形成上述第二接触层的区域，与上述细线部电连接。上述第一接触层和上述窗层的带隙能量分别比上述发光层的带隙能量大。上述第一接触层在上述窗层与上述第一电极之间选择性地设置，从上方观察，上述第一接触层与上述第二接触层不重叠地设置。

主权项

一种半导体发光元件，其特征在于，具备：支撑基板；第一电极，设置于上述支撑基板之上；第一导电型层，设置于上述第一电极之上，具有作为半导体的第一接触层；发光层，设置于上述第一导电型层之上；第二导电型层，设置于上述发光层之上，具有第二接触层；以及第二电极，设置于上述第二导电型层之上，具有：细线部，一部分在上述第二接触层之上延伸；以及焊盘部，设置于未形成上述第二接触层的区域；从上方观察，上述第一接触层与上述第二接触层不重叠地设置，从上方观察，上述第一接触层沿着上述第二电极的在上述第二接触层之上延伸的上述细线部分散地设置。