一种碳化硅二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种微电子器件及其制造方法，具体涉及一种碳化硅二极管及其制造方法。碳化硅二极管包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底；碳化硅衬底上具有低掺杂浓度的第一导电类型的第一层碳化硅；第一区碳化硅，具有第二导电类型且在第一层碳化硅上形成；第二区碳化硅，具有第二导电类型且在第一层碳化硅之上，第二区碳化硅、第一区碳化硅和第一层碳化硅形成台面结构，用于为碳化硅二极管提供边缘末端保护；第二区碳化硅上的第一电极；以及碳化硅衬底上的第二电极，还提供一种制造方法，本发明使碳化硅二极管制造过程简化，耐压能力提高，防止器件边缘末端击穿以及击穿电压漂移，提高反向工作电压，减小反向漏电流，增加稳定性。

主权项

一种碳化硅二极管，其特征在于，所述碳化硅二极管包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底；所述碳化硅衬底上具有低掺杂浓度的第一导电类型的第一层碳化硅；第一区碳化硅，具有第二导电类型且在第一层碳化硅上形成；第二区碳化硅，具有第二导电类型且在第一层碳化硅之上，第二区碳化硅、第一区碳化硅和第一层碳化硅形成台面结构，用于为碳化硅二极管提供边缘末端保护；第二区碳化硅上的第一电极；以及碳化硅衬底上的第二电极。