一种转移过程同期图形化的GaN基复合衬底

摘要

本实用新型涉及一种转移过程同期图形化的GaN基复合衬底，包括使用打印技术完成的图形化键合介质层、采用激光剥离技术去除蓝宝石衬底并自分裂去除与键合介质层无接触的GaN基外延薄膜部分后留存的与键合介质层有接触的图形化GaN基外延薄膜、以及导电导热转移衬底。本实用新型的结构及其制备过程，适用于GaN同质外延和直接制备垂直结构LED芯片，不仅简化工艺、降低成本，在后续芯片切割时，可以只切割转移衬底层而不切割GaN外延薄膜和键合介质层，从而可以解决因切割衬底导致GaN基薄膜损伤、介质层材料喷溅和器件短路等问题，且转移过程同期图形化能有效减小复合衬底中的残余应力，从而提高GaN基复合衬底和LED芯片性能。

主权项

一种转移过程同期图形化的GaN基复合衬底，其特征在于，它包括：导电导热转移衬底(1)；位于其上的通过打印技术制备的图形化键合介质层(2)；位于图形化键合介质层上的与键合介质层有接触的图形化GaN基外延薄膜(3)。