发明名称 晶体元件
摘要 本发明提供一种晶体元件,包括:矩形形状的晶体器件,具有激振部与框部且由晶体材料形成,所述激振部因施加电压而发生振动,所述框部将激振部的周围予以包围,框部具有第一方向的边及与该第一方向交叉的第二方向的边;矩形形状的基底板,接合于框部的一个主面,且具有第一方向的边与第二方向的边;以及矩形形状的盖板,接合于框部的另一个主面,且具有第一方向的边与第二方向的边,所述晶体元件涂布有接合材料,该接合材料具有处于晶体器件的第一方向的热膨胀系数与第二方向的热膨胀系数之间的热膨胀系数。
申请公布号 CN102820869B 申请公布日期 2015.07.29
申请号 CN201210187256.9 申请日期 2012.06.07
申请人 日本电波工业株式会社 发明人 原田雅和;有路巧;高桥岳宽
分类号 H03H9/02(2006.01)I 主分类号 H03H9/02(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 臧建明;张洋
主权项 一种晶体元件,其特征在于包括:矩形形状的晶体器件,具有激振部与框部且由晶体材料形成,所述激振部因施加电压而发生振动,所述框部将所述激振部的周围予以包围,所述框部具有长边方向的边及与该长边方向交叉的短边方向的边;矩形形状的基底板,接合于所述框部的一个主面,且具有所述长边方向的边与所述短边方向的边;以及矩形形状的盖板,接合于所述框部的另一个主面,且具有所述长边方向的边与所述短边方向的边,所述晶体元件涂布有接合材料,该接合材料具有处于所述晶体器件的所述长边方向的热膨胀系数与所述短边方向的热膨胀系数之间的热膨胀系数,其中所述晶体器件为AT切割晶体材料,所述基底板以及所述盖板为AT切割晶体材料、Z切割晶体材料或玻璃材料。
地址 日本东京涉谷区笹塚一丁目50番1号笹塚NA大楼