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MOS-Transistoreinrichtung vom Grabenstrukturtyp mit einer sich in einer ersten Richtung in einem Halbleiterbereich (20) erstreckenden Grabenstruktur (30), – bei welcher ein Sourcebereich (S) und ein Drainbereich (D) im Halbleiterbereich (20) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet sind, – bei welcher im Wesentlichen dazwischen im Inneren der Grabenstruktur (30) durch einen Isolationsbereich (GOX) isoliert eine Gateelektrodeneinrichtung (G) ausgebildet ist, – bei welcher zwischen dem Sourcebereich (S) und dem Drainbereich (D) in unmittelbarer Nachbarschaft zum Isolationsbereich (GOX) von der Gateelektrodeneinrichtung (G) abgewandt ein lokales Dotierstoffkonzentrationsmaximum vom ersten Leitfähigkeitstyp vorgesehen ist, – wobei die Dotierstoffkonzentration vom ersten Leitfähigkeitstyp, ausgehend vom Maximum, in Richtung auf den Sourcebereich (S) und in Richtung auf den Drainbereich (D) abfallend ausgebildet ist und – wobei die so abfallende Dotierstoffkonzentration zumindest in Richtung auf den Drainbereich (D) in die konstant gehaltene Dotierstoffkonzentration des ersten Leitfähigkeitstyps eines ersten Halbleiterunterbereichs (22) übergeht und an den unteren Bereich (30u) der Grabenstruktur (30) angrenzt, – so dass der Avalanchedurchbruchbereich (A) der MOS-Transistoreinrichtung (10), der durch einen Bereich (E) maximaler elektrischer Feldstärke ausgebildet ist, in unmittelbarer Nachbarschaft zu einem unteren Bereich (30u) der Grabenstruktur (30) im Halbleiterbereich (20) ausgebildet ist, – um einen besonders geringen Einschaltwiderstand der MOS-Transistoreinrichtung (10) auszubilden. |
