用于形成多结光生伏打结构的剥离方法和光生伏打器件

摘要

本发明公开涉及用于形成多结光生伏打结构的剥离方法和光生伏打器件。具体地，提供了一种包括设置具有锗和锡合金层的锗基板的切割半导体材料的方法。应力体层被沉积于锗基板的表面上。来自应力体层的应力被施加到锗基板，其中，应力切割锗基板以提供切割表面。然后对于锗基板的锗和锡合金层选择锗基板的切割表面。在另一实施例中，锗和锡合金层可用作剥离方法中的断裂面。

主权项

一种切割半导体材料的方法，包括：设置锗基板，所述锗基板包括第一锗层、存在于第一锗层上的锗和锡合金层、以及存在于锗和锡合金层上的第二锗层；在锗基板的第二锗层上沉积应力体层；从应力体层向锗基板施加应力，其中，应力切割锗基板的第一锗层以提供切割表面，其中，锗和锡合金层存在于第二锗层与第一锗层的剩余部分的所述切割表面之间；和对于所述锗和锡合金层选择性地进行所述切割表面的蚀刻以去除第一锗层的所述剩余部分，其中锗基板的包括第二锗层和锗和锡合金层的剩余部分在锗基板的该剩余部分的整个宽度上具有均匀的厚度。