一种硅纳米线结构的制造方法

摘要

本发明提供一种硅纳米线结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，在其上形成用于构成硅纳米线结构的硅层，且硅层的顶部形成有硬掩膜层；在半导体衬底上沉积形成牺牲材料层，覆盖硬掩膜层和硅层；对牺牲材料层实施图案化工艺，使牺牲材料层仅覆盖半导体衬底的上表面的两侧部分以及硬掩膜层和硅层的两侧，位于硅层的两侧的牺牲材料层构成侧墙；实施大剂量离子注入并退火，在未被牺牲材料层遮蔽的半导体衬底中形成离子注入区；实施湿法蚀刻去除离子注入区以及位于侧墙和硅层下方的半导体衬底部分，以在半导体衬底的上方形成由硅层构成的硅纳米线结构；去除剩余的牺牲材料层和硬掩膜层。根据本发明，形成硅纳米线结构的工艺窗口更大，精度更易控制。

主权项

一种硅纳米线结构的制造方法，包括：提供半导体衬底（100），在所述半导体衬底上形成用于构成所述硅纳米线结构的硅层（101），且所述硅层的顶部形成有硬掩膜层（102）；在所述半导体衬底上沉积形成牺牲材料层（103），以覆盖所述硬掩膜层和所述硅层；对所述牺牲材料层实施图案化工艺，以使所述牺牲材料层仅覆盖所述半导体衬底的上表面的两侧部分以及所述硬掩膜层和所述硅层的两侧，其中，位于所述硅层的两侧的牺牲材料层构成侧墙；实施大剂量离子注入并退火，以在未被所述牺牲材料层遮蔽的半导体衬底中形成离子注入区；实施湿法蚀刻去除所述离子注入区以及位于所述侧墙和所述硅层下方的半导体衬底部分，以在所述半导体衬底的上方形成由所述硅层构成的所述硅纳米线结构；去除剩余的所述牺牲材料层和所述硬掩膜层。