| 发明名称 | 用于制造绝缘体上半导体基板的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制造多个绝缘体上半导体结构(200)的方法，该绝缘体是厚度小于50nm的二氧化硅层(202)，每个结构(200)包括放置在二氧化硅层(202)上的半导体层(203)，该制造方法包括对多个结构(200)进行热处理的步骤，该热处理步骤被设计为部分地分解二氧化硅层(202)，该热处理步骤是在非氧化性气氛中进行的，并且该非氧化性气氛的压强小于0.1巴。 | ||
| 申请公布号 | CN104798192A | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN201380060390.5 | 申请日期 | 2013.09.25 |
| 申请人 | 索泰克公司 | 发明人 | C·古德尔;奥列格·科农丘克 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 吕俊刚;刘久亮 |
| 主权项 | 一种制造多个绝缘体上半导体结构(200)的方法，所述绝缘体是厚度小于50nm的二氧化硅层(202)，每个结构(200)包括放置在所述二氧化硅层(202)上的半导体层(203)，所述制造方法包括对所述多个结构(200)进行热处理的步骤，该热处理步骤被设计为部分地分解所述二氧化硅层(202)，该热处理步骤是在非氧化性气氛中进行的，所述制造方法的特征在于，所述非氧化性气氛的压强小于0.1巴。 | ||
| 地址 | 法国伯尔宁 | ||