发明名称 用于在集成电路制造期间保护密钥制备的熔丝认证
摘要 公开了用于熔丝认证以便在集成电路制造期间保护密钥制备的发明的实施例。在一个实施例中,装置包括存储位置、物理上不可克隆的功能(PUF)电路、PUF密钥生成器、加密单元以及多条熔丝。该存储位置用于存储配置熔丝值。该PUF电路用于提供PUF值。该PUF密钥生成器用于基于该PUF值生成PUF密钥。该加密单元用于使用该PUF密钥加密该配置熔丝值。该PUF密钥和该配置熔丝值有待提供给密钥服务器。该密钥服务器用于确定该配置熔丝值指示该装置是制造组件并且作为响应提供有待存储在该多条熔丝中的熔丝密钥。
申请公布号 CN104798338A 申请公布日期 2015.07.22
申请号 CN201380058982.3 申请日期 2013.06.17
申请人 英特尔公司 发明人 K·C·高特兹;李江滔;G·M·罗维诺
分类号 H04L9/30(2006.01)I;H04L9/14(2006.01)I;H04L9/08(2006.01)I 主分类号 H04L9/30(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 姬利永
主权项 一种装置,包括:第一存储位置,用于存储配置熔丝值;物理上不可克隆的功能(PUF)电路,用于提供PUF值;PUF密钥生成器,用于基于所述PUF值生成PUF密钥,其中所述PUF密钥有待提供给密钥服务器;加密单元,用于使用所述PUF密钥加密所述配置熔丝值,其中所述经加密的配置熔丝值有待提供给所述密钥服务器;以及多条熔丝,用于响应于所述密钥服务器确定所述配置熔丝值指示所述装置是制造组件,存储所述密钥服务器所提供的熔丝密钥。
地址 美国加利福尼亚州