发明名称 一种浅沟槽隔离工艺研磨装置及其使用方法
摘要 本发明公开了一种浅沟槽隔离工艺研磨装置,包括机台,在机台上安装有一研磨系统与一控制系统连接,还包括一刻蚀系统,与控制系统连接;还包括一量测系统,与控制系统相连接;还包括一参数转换系统,与量测系统相连接。一种实现刻蚀去除和台阶高度量测的方法,其中,在上述的浅沟槽隔离工艺研磨装置中进行,包括步骤:提供一衬底,衬底由下至上覆盖有缓冲层、掩膜层,在衬底的沟槽中和表面填充有氧化物薄膜,测量所述氧化物薄膜的厚度;对衬底进行机械研磨工艺;测量研磨后的氧化物薄膜的厚度;对掩膜层进行刻蚀工艺;对去除掩膜层的衬底进行台阶高度量测。本发明简化设备和工艺,消除不同机台状况和搬运过程对晶片造成的影响。
申请公布号 CN102765043B 申请公布日期 2015.07.22
申请号 CN201210225801.9 申请日期 2012.07.03
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 张冬芳;白英英;张守龙;徐友峰;陈玉文
分类号 B24B37/00(2012.01)I;B24B37/005(2012.01)I;B24B37/013(2012.01)I;B24B37/34(2012.01)I 主分类号 B24B37/00(2012.01)I
代理机构 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人 王敏杰
主权项 一种浅沟槽隔离工艺研磨装置,包括机台,在所述机台上安装有一研磨系统,所述研磨系统与一控制系统连接,其特征在于,还包括一刻蚀系统,所述刻蚀系统安装在所述机台上,所述刻蚀系统与所述控制系统连接;还包括一量测系统,所述量测系统与控制系统相连接;还包括一参数转换系统,所述参数转换系统与所述量测系统相连接以实现对台阶高度进行量测。
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