发明名称 | 光学半导体器件 | ||
摘要 | 一种光学半导体器件,包括:第一波导,输入光被输入到第一波导中;环形调制器,被设置为与第一波导光耦合;第一环形谐振器,被设置为与第一波导光耦合,并具有比所述环形调制器的光程长度小的光程长度;第二环形谐振器,被设置为与第一波导光耦合,并具有比所述环形调制器的光程长度大的光程长度;加热器,被设置为与所述环形调制器、第一环形谐振器及第二环形谐振器相邻;第一光检测器,被配置为监测所述第一环形谐振器中的光功率;第二光检测器,被配置为监测所述第二环形谐振器中的光功率;以及控制器,基于所述第一光检测器和第二光检测器所检测的信号控制所述加热器,以使所述环形调制器的谐振波长与所述输入光的波长一致。 | ||
申请公布号 | CN102955265B | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
申请号 | CN201210272727.6 | 申请日期 | 2012.08.02 |
申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 秋山知之 |
分类号 | G02F1/01(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/01(2006.01)I |
代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;张志杰 |
主权项 | 一种光学半导体器件,包括:第一波导,输入光被输入到所述第一波导中;环形调制器,被设置为与所述第一波导光耦合;第一环形谐振器,被设置为与所述第一波导光耦合,并具有比所述环形调制器的光程长度小的光程长度;第二环形谐振器,被设置为与所述第一波导光耦合,并具有比所述环形调制器的光程长度大的光程长度;加热器,被设置为与所述环形调制器、所述第一环形谐振器以及所述第二环形谐振器相邻;第一光检测器,被配置为监测所述第一环形谐振器中的光功率;第二光检测器,被配置为监测所述第二环形谐振器中的光功率;以及控制器,用于基于所述第一光检测器和所述第二光检测器所检测的信号控制所述加热器,以使所述环形调制器的谐振波长与所述输入光的波长一致,其中,所述第一波导包括第一分支波导和第二分支波导,所述第一环形谐振器被设置为与所述第一分支波导光耦合,以及所述第二环形谐振器被设置为与所述第二分支波导光耦合。 | ||
地址 | 日本国神奈川县川崎市 |