发明名称 |
一种制造高介电复合薄膜的方法 |
摘要 |
本发明实施例公开了一种制造高介电复合薄膜的方法,包括:将微米钛酸钡、纳米钛酸锶和聚偏氟乙烯粉末均匀混合;将混合材料粉末溶于有机溶剂中;将有机混合溶液在室温下真空静置脱泡;将有机混合溶液在基板上流延刮膜形成平板膜;加热平板膜使有机溶剂挥发,获得聚偏氟乙烯-钛酸钡-钛酸锶复合薄膜。通过本发明的实施例中的方法,可将纳米粒径的钛酸锶粒子填充入微米粒径的钛酸钡粒子之间的空隙之中,可以使钛酸钡粒子的堆积更加的紧密,从而可以较大的提高获得的复合薄膜的介电常数并降低损耗。 |
申请公布号 |
CN103319736B |
申请公布日期 |
2015.07.22 |
申请号 |
CN201310246514.0 |
申请日期 |
2013.06.20 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
徐建华;张辉;杨文耀;李金龙;张鲁宁;杨亚杰 |
分类号 |
C08J5/18(2006.01)I;C08L27/16(2006.01)I;C08K3/24(2006.01)I |
主分类号 |
C08J5/18(2006.01)I |
代理机构 |
成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 |
代理人 |
谭新民 |
主权项 |
一种制造高介电复合薄膜的方法,其特征在于,包括:将微米钛酸钡、纳米钛酸锶和聚偏氟乙烯粉末均匀混合,获得混合材料粉末;将所述混合材料粉末溶于有机溶剂中,获得有机混合溶液;将所述有机混合溶液在室温下真空静置脱泡;将所述有机混合溶液在基板上流延刮膜,获得平板膜;加热所述平板膜使所述有机溶剂从所述平板膜中挥发,获得聚偏氟乙烯‑钛酸钡‑钛酸锶复合薄膜;其中所述将微米钛酸钡、纳米钛酸锶和聚偏氟乙烯粉末均匀混合包括:将所述微米钛酸钡与所述纳米钛酸锶按照重量比10:1至4:1的比例球磨混合均匀,获得第一混合粉末;将所述聚偏氟乙烯粉末与所述第一混合粉末按照重量比5:1至2:1的比例球磨混合均匀,获得所述混合材料粉末。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |