一种非晶硅薄膜及一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种非晶硅薄膜及一种半导体器件的制造方法，所述非晶硅薄膜的制造方法采用两步成膜工艺，第一步成膜阶段使用原子层沉积方式沉积晶粒较小和均匀性良好的第一非晶硅层，第二步成膜阶段在第一非晶硅层上沉积掺杂碳原子或氮原子的第二非晶硅层，在第二非晶硅层的晶格中掺杂碳原子或氮原子，可避免硅原子在第一非晶硅层的硅晶粒上连续沉积，进而得到晶粒尺寸较小的非晶硅薄膜。同时，所述半导体器件的制造方法，采用非晶硅薄膜的制造方法获得较小晶粒尺寸的非晶硅，以满足器件性能要求，尤其是较小晶粒尺寸的非晶硅用作虚拟非晶硅栅极后，可以在其去除后形成侧壁较为平整的沟槽，以改善后续金属栅的沉积形貌，进而改善漏电性能。

主权项

一种非晶硅薄膜的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，采用原子层沉积工艺形成第一非晶硅层；然后在所述第一非晶硅层上继续沉积掺杂碳原子或氮原子的第二非晶硅层，以获得非晶硅薄膜。