| 发明名称 | 金属互连线间的介质层中形成空气隙的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的一种金属互连线间的介质层中形成空气隙的方法，包括：在半导体器件衬底上形成第一介质层，在第一介质层中形成前段金属互连线、以及在前段金属互连线表面和第一介质层表面沉积第一阻挡层；经光刻和刻蚀工艺，在第一阻挡层中形成多个孔；湿法刻蚀孔下方的第一阻挡层部分，在第一阻挡层中形成空隙；空隙的直径大于孔的直径；在第一阻挡层上形成第二介质层；在第二介质层形成后段金属互连线。本发明通过湿法刻蚀孔下方的第一阻挡层部分，从而在第一阻挡层中形成比孔大的空隙，在第二介质层沉积时，由于台阶覆盖能力差，在第一介质层中形成密封的空气隙，降低了金属互连线间的介质层的k值。 | ||
| 申请公布号 | CN104795359A | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN201510173994.1 | 申请日期 | 2015.04.13 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 雷通;周海锋;方精训 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/764(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;陈慧弘 |
| 主权项 | 一种金属互连线间的介质层中形成空气隙的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤01：在半导体器件衬底上形成第一介质层，在所述第一介质层中形成前段金属互连线、以及在所述前段金属互连线表面和所述第一介质层表面沉积第一阻挡层；步骤02：经光刻和刻蚀工艺，在所述第一阻挡层中形成多个孔；步骤03：湿法刻蚀所述孔下方的所述第一阻挡层部分，在所述第一阻挡层中形成空隙；所述空隙的直径大于所述孔的直径；步骤04：在所述第一阻挡层上形成第二介质层，以在第一介质层中形成密封的空气隙。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||