半导体晶片的研磨方法

摘要

一种半导体晶片的研磨方法，对由工件载体保持的半导体晶片和工作台所具备的研磨布进行推压，同时使工件载体和工作台旋转，以对半导体晶片进行研磨，其特征在于，在对研磨布和半导体晶片进行了推压的状态下，使静止的工作台和工件载体以规定的转速开始研磨之际，使工作台加速度比工件载体加速度小，由此来抑制在开始研磨之际发生的振动。本发明的半导体晶片的研磨方法最好是将半导体晶片的直径设定为工作台直径的30％以上。

主权项

一种半导体晶片的研磨方法，对由工件载体保持的半导体晶片和工作台所具备的研磨布进行推压，同时使所述工件载体和所述工作台旋转，以对所述半导体晶片进行研磨，其特征在于，在对所述研磨布和所述半导体晶片进行了推压的状态下，使静止的所述工作台和所述工件载体以规定的转速开始研磨之际，工作台加速度和工件载体加速度满足以下的式（1），Ａ＜Ｂ  ・・・（1）其中，设所述工作台加速度为Ａ（mm/s²），设所述工件载体加速度为Ｂ（mm/s²），所述工作台加速度是指在所述半导体晶片的研磨面内所述工作台及所述工件载体的圆周速度最大的那个点上的所述工作台的圆周速度的加速度，所述工件载体加速度是指在所述半导体晶片的研磨面内所述工作台及所述工件载体的圆周速度最大的那个点上的所述工件载体的圆周速度的加速度，所述半导体晶片的直径为所述工作台的直径的30％以上且不到50%。