发明名称 |
一种鳍式二极管及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种鳍式二极管及其制备方法,包括:提供一具有第一掺杂类型的衬底;刻蚀所述衬底,于所述衬底内形成若干鳍状结构;沉积一掩膜层覆盖在所述沟槽底部;在所述鳍状结构顶部制备一外延层,且该外延层将位于所述鳍状结构顶部的部分侧壁予以覆盖;对所述外延层进行掺杂,使所述外延层具有第二掺杂类型。本发明通过采用一具有离子掺杂类型的衬底制备形成鳍状结构,然后在鳍状结构顶部和部分侧壁制备一外延层,并使对该外延层进行原位掺杂,使得鳍状结构与外延层的掺杂类型相反,在两者接触面形成P-N异质结,有利于增加结接触面积,同时可控制原位掺杂的参数来对二极管的电学性能进行调整。 |
申请公布号 |
CN104795451A |
申请公布日期 |
2015.07.22 |
申请号 |
CN201410030116.X |
申请日期 |
2014.01.22 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
陶佳佳 |
分类号 |
H01L29/868(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/868(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
俞涤炯 |
主权项 |
一种鳍式二极管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一具有第一掺杂类型的衬底;刻蚀所述衬底,于所述衬底内形成若干鳍状结构,且相邻鳍状结构之间形成有沟槽;沉积一掩膜层覆盖在所述沟槽底部表面;在所述鳍状结构顶部制备一外延层,且该外延层将位于所述鳍状结构顶部的侧壁予以覆盖;对所述外延层进行掺杂,使所述外延层具有第二掺杂类的型;其中,所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号 |