基于俄歇电子注入的超低电压OLED器件

摘要

本发明提供了一种基于俄歇电子注入的超低电压OLED器件及其制备技术方法，该器件包括基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、俄歇电子产生层、电子传输层、电子注入层、阴极，其中，俄歇电子产生层由电子受体层和电子给体层组成。该器件中电子和空穴在俄歇电子产生层中电子受体层/电子给体层界面发生俄歇复合，为电子提供了内部能量，而使得器件的开启电压得到了大幅度降低。本发明提出的基于俄歇电子注入的超低电压OLED器件的开启电压低于发光材料的带隙。

主权项

一种俄歇电子产生层，由电子受体层和电子给体层组成，其特征在于电子受体层由具备高空穴迁移率和较窄带隙的材料构成，电子给体层由具备高电子迁移率和较深最低未占据轨道能级的材料构成。