多晶电阻的制造方法和多晶电阻

摘要

本发明提供了一种多晶电阻的制造方法和一种多晶电阻，其中，多晶电阻的制造方法包括：在形成有氧化层和底层氮化硅层的衬底表面生长多晶硅层；对多晶硅层注入掺杂元素；刻蚀掉多晶硅层上的第一预设区域之外的多晶硅，保留第一预设区域的多晶硅，以形成电阻条区域；在形成有电阻条区域的衬底上方，生长顶层氮化硅层，顶层氮化硅层呈台阶状，顶层氮化硅层包括上台面氮化硅层和下台面氮化硅层；刻蚀掉下台面氮化硅层，以及下台面氮化硅层下面的底层氮化硅层；对上台面氮化硅层上的第二预设区域进行刻蚀，形成接触孔；对衬底进行热处理；在接触孔所在的区域镀金属，以形成引线。通过本发明的技术方案，可以节约生产成本，提高电阻的稳定性。

主权项

一种多晶电阻的制造方法，其特征在于，包括：在形成有氧化层和底层氮化硅层的衬底表面生长多晶硅层，所述多晶硅层位于所述底层氮化硅层的上方；对所述多晶硅层注入掺杂元素；刻蚀掉所述多晶硅层上的第一预设区域之外的多晶硅，保留所述第一预设区域的多晶硅，以形成电阻条区域；在形成有所述电阻条区域的衬底上方，生长顶层氮化硅层，所述顶层氮化硅层呈台阶状，所述顶层氮化硅层包括上台面氮化硅层和下台面氮化硅层；刻蚀掉所述下台面氮化硅层，以及所述下台面氮化硅层下面的底层氮化硅层，保留所述上台面氮化硅层；对所述上台面氮化硅层上的第二预设区域进行刻蚀，形成接触孔；对所述衬底进行热处理，以激活所述掺杂元素；在所述接触孔所在的区域镀金属，以形成引线。