| 发明名称 | 利用多孔硅形成的能量储存设备 | ||
| 摘要 | 在一个实施例中，能量储存设备（例如电容器）可以包括在衬底内形成的多孔硅层。多孔硅层包括具有小于近似100纳米的平均孔直径的孔。在多孔硅层上形成第一导电层并且在第一导电层上形成第一电介质层。在第一电介质层上形成第二导电层以形成电容器。 | ||
| 申请公布号 | CN104798152A | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN201380062057.8 | 申请日期 | 2013.06.21 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | D.S.贾纳;L.E.莫斯利 |
| 分类号 | H01G4/005(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/005(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张凌苗;蒋骏 |
| 主权项 | 一种能量储存设备，包括：在衬底内形成的多孔硅层，多孔硅层具有有着小于近似100纳米的平均孔直径的孔；在多孔硅层上形成的第一导电层；在第一导电层上形成的第一电介质层；以及在第一电介质层上形成的第二导电层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||