| 发明名称 | 一种覆晶式半导体发光器件结构与其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种覆晶式半导体发光器件结构及其制作方法。一种覆晶式半导体发光器件结构，包括：支撑基板；发光外延层位于所述支撑基板之上，依次由p型半导体层、发光活性层、n型半导体层、缓冲层构成；透光性生长衬底，位于所述发光外延层之上；其特征在于：一规则的图形化空气夹层，位于所述生长衬底与发光外延层之间，其具有光学匹配厚度。通过在衬底与外延层之间具有光学匹配厚度的图形化散热空气夹层，可以达到增加透光和散热效果。 | ||
| 申请公布号 | CN102683531B | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN201210182009.X | 申请日期 | 2012.06.05 |
| 申请人 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发明人 | 钟志白;杨建健;陈文欣;梁兆煊 |
| 分类号 | H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种覆晶式半导体发光器件结构，包括：支撑基板；发光外延层位于所述支撑基板之上，依次由p型半导体层、发光活性层、n型半导体层、缓冲层构成；透光性生长衬底，位于所述发光外延层之上；其特征在于：一规则的图形化空气夹层，位于所述生长衬底与发光外延层之间，其具有光学匹配厚度。 | ||
| 地址 | 361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721－1725号 | ||