| 发明名称 | 微电子机械系统压力传感器制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种微电子机械系统压力传感器的制造方法，包括：对硅衬底进行表面平坦；沉积形成牺牲层；沉积形成保护层；光刻形成接触孔；进行SiGe淀积；SiGe刻蚀形成释放孔；去除牺牲层。本发明电子机械系统压力传感器的制造方法能避免牺牲层开裂造成SiGe沉积嵌入到牺牲层开裂区域，提高器件的性能和产品良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN104787719A | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN201510107047.2 | 申请日期 | 2015.03.11 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 曹苗苗;冯凯;季伟 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;G01L1/00(2006.01)I;G01L9/00(2006.01)I;G01L23/08(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种微电子机械系统压力传感器的制造方法，其特征是，包括：步骤1)对硅衬底进行表面平坦；步骤2)在预形成空腔的位置，沉积形成牺牲层；步骤3)在牺牲层上沉积形成保护层；步骤4)光刻形成接触孔；步骤5)进行SiGe淀积；步骤6)SiGe刻蚀形成释放孔；步骤7)去除牺牲层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||