发明名称 具有奈米线或伴随不同的材料方向或成分的半导体本体之共用基板半导体装置
摘要
申请公布号 TWI493715 申请公布日期 2015.07.21
申请号 TW101147870 申请日期 2012.12.17
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 柯柏拉尼 安娜丽莎;托钦斯基 彼得;坎恩 克莱恩;葛兰 葛雷斯;雷 凡
分类号 H01L29/78;B82B1/00 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体结构,包括:第一半导体装置,包括设置在晶体基板上方之第一奈米线,该第一奈米线包括具有第一整体晶体方向的半导体材料;第二半导体装置,包括设置在该晶体基板上方之第二奈米线,该第二奈米线包括具有与第一整体晶体方向不同之第二整体晶体方向的半导体材料,且该第二奈米线与该晶体基板藉由设置于该第二奈米线及该晶体基板间之隔离基座来隔离,其中该第一奈米线与该第二奈米线彼此平行;及第三半导体装置,包括设置在该晶体基板上方之第三奈米线,该第三奈米线包括具有与该第一及第二整体方向不同之第三整体晶体方向的半导体材料,该第三奈米线藉由设置于该第三奈米线及该晶体基板间之隔离基座而与该晶体基板隔离,其中该第一奈米线之底部表面与该第二奈米线之底部表面共平面并且与该第三奈米线之底部表面共平面。
地址 美国